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恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司卓红标获国家专利权

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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利熔丝结构的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114023693B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111186004.X,技术领域涉及:H01L21/768;该发明授权熔丝结构的制作方法是由卓红标;刘春玲设计研发完成,并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

熔丝结构的制作方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种熔丝结构的制作方法,涉及半导体制造领域。该熔丝结构的制作方法包括在介质层上方的金属层中形成熔断部,所述金属层和所述介质层之间设置有阻挡层;形成钝化层;通过光刻和刻蚀工艺,在所述熔断部两侧的介质层中形成凹槽;通过灰化工艺和湿法清洗工艺去除残余的光刻胶,灰化过程中通入CF4气体;光刻胶去除后,位于所述熔断部下方的阻挡层的宽度小于所述熔断部的宽度;解决了目前熔丝结构熔断耗时长;达到了在不增加工艺步骤的情况下,提升熔丝结构熔断效率的效果。

本发明授权熔丝结构的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种熔丝结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在介质层上方的金属层中形成熔断部,所述金属层和所述介质层之间设置有阻挡层;形成钝化层;通过光刻和刻蚀工艺,在所述熔断部两侧的介质层中形成凹槽;通过灰化工艺和湿法清洗工艺去除残余的光刻胶,灰化过程中通入CF4气体;其中,光刻胶去除后,位于所述熔断部下方的阻挡层的宽度小于所述熔断部的宽度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司,其通讯地址为:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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