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龙图腾网恭喜飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111325824.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一外延层；掺杂柱，分立的位于所述第一外延层中；第一JFET区，位于部分所述掺杂柱上；第二JFET区，位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；掺杂区，位于相邻所述源区之间且延伸至所述掺杂柱的表面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述掺杂柱邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷以及降低衬底电阻。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一外延层；掺杂柱，分立的位于所述第一外延层中，且与所述第一外延层的表面共面，其中所述掺杂柱的厚度小于或等于所述第一外延层的厚度，且厚度差为0μm～11μm，所述掺杂柱的掺杂类型和所述第一外延层的掺杂类型不同；第一JFET区，位于部分所述掺杂柱上；第二JFET区，位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；掺杂区，位于相邻所述源区之间且延伸至所述掺杂柱的表面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述掺杂柱邻接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。