恭喜长江存储科技有限责任公司徐玲获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005399.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法是由徐玲;王迪;张中;周文犀设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开内容提供了一种用于形成三维存储器器件的方法。该方法包括在垂直于衬底的第一方向上在衬底上设置交替电介质堆叠体；以及在交替电介质堆叠体中形成阶梯结构和分隔壁。阶梯结构与分隔壁在平行于衬底的第二方向上延伸，并且分隔壁与阶梯结构相邻。该方法还包括在阶梯结构上依次形成第一阻挡层和不同于第一阻挡层的第二阻挡层。该方法还包括在分隔壁中形成栅极线缝隙GLS开口。GLS开口在第一方向上穿透交替电介质堆叠体，并且在平行于衬底并且垂直于第二方向的第三方向上远离第二阻挡层。
本发明授权用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成三维存储器器件的方法，包括：设置交替电介质堆叠体，其中，所述交替电介质堆叠体包括在垂直于衬底的第一方向上交替堆叠在所述衬底上的第一电介质层和第二电介质层；在所述交替电介质堆叠体中形成阶梯结构和分隔壁，其中，所述阶梯结构和所述分隔壁在平行于所述衬底的第二方向上延伸，并且所述分隔壁与所述阶梯结构相邻；在所述阶梯结构上依次形成第一阻挡层和不同于所述第一阻挡层的第二阻挡层；以及在所述分隔壁中形成栅极线缝隙GLS开口，其中，所述GLS开口在所述第一方向上穿透所述交替电介质堆叠体，并且在平行于所述衬底并且垂直于所述第二方向的第三方向上远离所述第二阻挡层。
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