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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429938B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111583695.7，技术领域涉及：H01L23/473；该发明授权一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构是由周超杰;夏晨辉;王刚;明雪飞;王成迁设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。对基板进行刻蚀填孔形成TSV铜柱并减薄制成硅基衬底；在硅基衬底上刻蚀出微流道槽和进出口通道盲孔；将微流道盖板与硅基衬底进行硅硅键合；把TSV转接芯片倒装焊接至硅基衬底上，将异构芯片与微流道盖板键合；用底填胶将TSV转接芯片的倒装焊处凸点间的缝隙填实；将倒装的TSV转接芯片和异构芯片进行灌封固化重构形成树脂晶圆片；减薄漏出TSV转接芯片的铜柱和异构芯片的凸点；在树脂晶圆片上形成多层互联再布线；对硅基衬底进行减薄；将异构芯片固定在芯片槽内，依次实现的RDL和UBM多层互联金属再布线；在UBM处植上焊球，再对三维集成硅基圆片进行划片形成最终的封装体。

本发明授权一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法，其特征在于，包括：提供基板，对其进行刻蚀填孔形成TSV铜柱，并对具有TSV铜柱的表面减薄使其漏出，制成硅基衬底；在硅基衬底上具有TSV铜柱的表面刻蚀出微流道槽和进出口通道盲孔；将硅质的微流道盖板与硅基衬底进行硅硅键合，实现微流道密封，形成微流道单元；把长好凸点的TSV转接芯片倒装焊接至硅基衬底上；利用晶圆重构工艺，将长好凸点的异构芯片通过导热胶与微流道盖板键合；用底填胶将TSV转接芯片的倒装焊处凸点间的缝隙填实；利用晶圆级塑封工艺，用树脂塑封料将倒装的TSV转接芯片和异构芯片进行灌封，固化重构形成树脂晶圆片；对树脂晶圆片进行减薄，漏出TSV转接芯片的铜柱和异构芯片的凸点；使用晶圆级再布线工艺在树脂晶圆片上形成多层互联再布线；对硅基衬底的底部进行减薄，漏出TSV铜柱及微流道槽，并在硅基衬底的底部刻蚀出芯片槽；将重新提供的异构芯片通过导热胶固定在芯片槽内，使用Pi胶和晶圆级多层再布线工艺依次实现的RDL和UBM多层互联金属再布线；利用晶圆级植球工艺，在重构的多层硅基晶圆的UBM处植上焊球，再对三维集成硅基圆片进行划片形成最终的封装体。

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