恭喜北京雪迪龙科技股份有限公司敖小强获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京雪迪龙科技股份有限公司申请的专利一种多离子源质谱仪器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114171369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111576532.6,技术领域涉及:H01J49/10;该发明授权一种多离子源质谱仪器是由敖小强;魏文;胡丹;卞玉倩设计研发完成,并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多离子源质谱仪器在说明书摘要公布了:本发明属于多离子源质谱检测技术。本发明的多离子源质谱仪器,包括:试剂入口、空心阴极区域、试剂离子产生区、反应室、电极、样品入口、EI样品入口管线、差分真空接口板、差分真空接口孔、高真空腔体;所述试剂入口、空心阴极区域、试剂离子产生区、反应室和高真空腔体依次相连;所述样品入口设置在在反应室靠近试剂离子产生区一侧;所述反应室内部四周有多块电极;所述EI样品入口管线设置在靠近差分真空接口板一侧的电极和差分真空接口板之间;所述差分真空接口板在反应室和高真空腔体相连处,在所述差分真空接口板中间设有差分真空接口孔。本发明的整个切换装置无电机、磁铁等可动部件结构简单,可靠性高。
本发明授权一种多离子源质谱仪器在权利要求书中公布了:1.多离子源质谱仪器,其特征在于,包括:试剂入口、空心阴极区域、试剂离子产生区、反应室、电极、样品入口、EI样品入口管线、差分真空接口板、差分真空接口孔、高真空腔体和机械泵抽除口;所述试剂入口、空心阴极区域、试剂离子产生区、反应室和高真空腔体依次相连;所述样品入口设置在在反应室靠近试剂离子产生区一侧;所述反应室内部四周有多块电极;所述EI样品入口管线设置在靠近差分真空接口板一侧的电极和差分真空接口板之间;所述差分真空接口板在反应室和高真空腔体相连处,在所述差分真空接口板中间设有差分真空接口孔;所述的高真空腔体包括:EI离子源、第一透镜和第二透镜;所述EI离子源、第一透镜和第二透镜距差分真空接口板由近及远分布在高真空腔体内;所述EI离子源的出口正对第一透镜的入口;所述第一透镜的出口正对第二透镜的入口;所述EI离子源包括:EI源灯丝、EI源接收电极A、EI源接收电极B和EI离子源室;所述EI源灯丝和EI源接收电极A位于EI离子源室同一侧;所述EI源灯丝和EI源接收电极A与EI源接收电极B位于EI离子源室两侧;所述EI离子源室的出口正对第一透镜的入口;所述机械泵抽除口设置在反应室下端。
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