恭喜美光科技公司林律甫获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利具有缓解模具材料的进入的流量控制器的半导体组合件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111611322.6，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权具有缓解模具材料的进入的流量控制器的半导体组合件是由林律甫;邹永升;颜宗隆;饶力;钟旻华设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有缓解模具材料的进入的流量控制器的半导体组合件在说明书摘要公布了：本申请案涉及具有缓解模具材料的进入的流量控制器的半导体组合件。在一些实施例中，一种半导体装置包含具有第一及第二表面的封装衬底。第一及第二裸片堆叠形成在所述第一表面上且彼此邻近。所述第一表面的一部分在所述第一与第二裸片堆叠之间延伸。材料层粘附到所述第一及第二裸片堆叠的顶表面，且在所述封装衬底上方延伸一定距离以在所述材料层、所述裸片堆叠的相对侧壁及所述封装衬底之间形成隧道。所述半导体装置进一步包含粘附到所述隧道内部的所述第一表面的至少一部分的流量控制器，所述流量控制器减小所述隧道的至少一部分的横截面表面积。
本发明授权具有缓解模具材料的进入的流量控制器的半导体组合件在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括：封装衬底，其具有第一表面及第二表面；第一裸片堆叠，其形成在所述第一表面上；第二裸片堆叠，其邻近于所述第一裸片堆叠形成在所述第一表面上，其中所述第一表面的一部分在所述第一与第二裸片堆叠之间延伸；材料层，其粘附到所述第一及第二裸片堆叠的顶表面，其中所述材料层在所述第一与第二裸片堆叠之间的所述第一表面的所述部分上方延伸一定距离以在所述材料层、所述第一及第二裸片堆叠的相对侧壁及所述封装衬底的所述第一表面之间形成隧道；及流量控制器，其粘附到所述隧道内部的所述第一表面的至少一部分，所述流量控制器减小所述隧道的至少一部分的横截面表面积。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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