恭喜京东方科技集团股份有限公司;成都京东方显示科技有限公司易文玉获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司;成都京东方显示科技有限公司申请的专利一种阵列基板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335027B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111670109.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种阵列基板及其制备方法、显示面板是由易文玉;陈岗;吴忠芯设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，该阵列基板包括衬底；栅极层，包括多个栅极和多条栅线；半导体透光层，位于栅极层远离衬底的一侧，包括多个有源层和多条第一存储电极线；多个像素电极，位于半导体透光层远离衬底的一侧；其中，有源层在衬底上的正投影位于栅极在衬底上的正投影以内，第一存储电极线沿平行于栅线的方向延伸，第一存储电极线在衬底上的正投影与像素电极在衬底上的正投影交叠，且第一存储电极线在衬底上的正投影与栅极层在衬底上的正投影互不交叠。该阵列基板的开口率提升，从而能够提高显示面板整体的光透过率。
本发明授权一种阵列基板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；栅极层，包括多个栅极和多条栅线；半导体透光层，位于所述栅极层远离所述衬底的一侧，包括多个有源层和多条第一存储电极线；多个像素电极，位于所述半导体透光层远离所述衬底的一侧；其中，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内，所述第一存储电极线沿平行于所述栅线的方向延伸，所述第一存储电极线在所述衬底上的正投影与所述像素电极在所述衬底上的正投影交叠，且所述第一存储电极线在所述衬底上的正投影与所述栅极层在所述衬底上的正投影互不交叠。
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