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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种高性能的有源低通滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114826204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210068240.X，技术领域涉及：H03H11/04；该发明授权一种高性能的有源低通滤波器是由郑文锴;李俊;陈志坚;王彦杰设计研发完成，并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能的有源低通滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能的有源低通滤波器，涉及高频通信前端设备，针对现有技术中存在阻带抑制较弱、稳定性差、带宽不足等缺点提出本方案。设置第一MOS电容和第二MOS电容；第一MOS电容用于抵消P路滤波单元的信号输入端与自身信号输出端之间的寄生电容；第二MOS电容用于抵消N路滤波单元的信号输入端与自身信号输出端之间的寄生电容。优点在于，使用MOS电容做反馈回路，抵消了该电路的主零点，提高了滤波器带外抑制，增加电路稳定性；并对低通滤波器辅以合理的优化设计，最终使低通滤波器的工作带宽可以达到100MHz到5.1GHz，拥有良好的带外抑制和稳定的滤波效果。

本发明授权一种高性能的有源低通滤波器在权利要求书中公布了：1.一种高性能的有源低通滤波器，包括结构相同的P路滤波单元S1和N路滤波单元S2，两路滤波单元的输入互为差分输入；其特征在于，还设置第一MOS电容MC1和第二MOS电容MC2；所述的第一MOS电容MC1衬底端连接P路滤波单元S1的信号输出端，门极端连接N路滤波单元S2的信号输入端，所述的第一MOS电容MC1用于抵消P路滤波单元S1的信号输入端与自身信号输出端之间的寄生电容；所述的第二MOS电容MC2衬底端连接N路滤波单元S2的信号输出端，门极端连接P路滤波单元S1的信号输入端，所述的第二MOS电容MC2用于抵消N路滤波单元S2的信号输入端与自身信号输出端之间的寄生电容；设有共模反馈单元S4；所述的P路滤波单元S1包括P路第一MOS管M1P、P路第二MOS管M2P、P路第一电容阵列C1P和P路第二电容阵列C2P；P路第一MOS管M1P漏极连接共模反馈单元S4的P路共模输入信号VxP，P路第一MOS管M1P源极作为信号输出端，P路第一MOS管M1P栅极作为信号输入端；P路第二MOS管M2P漏极连接P路第一MOS管M1P源极，P路第二MOS管M2P源极接地，P路第二MOS管M2P栅极连接P路第一MOS管M1P漏极；P路第一电容阵列C1P并联在P路第一MOS管M1P的源漏之间，P路第二电容阵列C2P并联在P路第二MOS管M2P的源漏之间；所述的N路滤波单元S2包括N路第一MOS管M1N、N路第二MOS管M2N、N路第一电容阵列C1N和N路第二电容阵列C2N；N路第一MOS管M1N漏极连接共模反馈单元S4的N路共模输入信号VxN，N路第一MOS管M1N源极作为信号输出端，N路第一MOS管M1N栅极作为信号输入端；N路第二MOS管M2N漏极连接N路第一MOS管M1N源极，N路第二MOS管M2N源极接地，N路第二MOS管M2N栅极连接N路第一MOS管M1N漏极；N路第一电容阵列C1N并联在N路第一MOS管M1N的源漏之间，N路第二电容阵列C2N并联在N路第二MOS管M2N的源漏之间。

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