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龙图腾网恭喜深圳市兴威帆电子技术有限公司申请的专利芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114544031B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210098278.1，技术领域涉及：G01K13/00；该发明授权芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质是由陈定文;陈稳设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片技术领域，公开了一种芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：调整芯片的加热功率，并根据加热功率确定芯片的内部温度；在内部温度达到热平衡时，获取芯片输出的温度电信号和对应的加热功率；根据温度电信号和加热功率确定芯片的温度参数。由于本发明是通过调整芯片的加热功率，根据加热功率确定芯片的内部温度，根据在内部温度达到热平衡时获取的温度电信号和对应的加热功率确定芯片的温度参数，解决了通过传热方法测试时，大空间环境中热量分布不均造成不同芯片所处的环境温度有所差别的技术问题，提高了芯片温度参数的准确度。

本发明授权芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片温度参数校准方法，其特征在于，所述方法包括：调整芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的内部温度；在所述内部温度达到热平衡时，获取所述芯片输出的温度电信号和对应的加热功率；根据所述温度电信号和所述加热功率确定所述芯片的温度参数；所述芯片上集成有加热器件；所述调整芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的内部温度，包括：调整所述加热器件对所述芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的功耗；根据所述功耗和预设功耗温度关系式确定所述芯片的内部温度；所述调整所述加热器件对所述芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的功耗，包括：获取所述芯片的工作功率；通过功率控制器调节加热电压和加热电流以调整所述加热器件对所述芯片的加热功率；根据所述加热功率、所述工作功率和预设功耗关系式确定所述芯片的功耗；其中，所述预设功耗关系式为：P＝Ivdd*Uvdd+Ihot*Uhot式中，P为功耗；Ivdd为芯片的工作电流；Uvdd为芯片的工作电压；Ihot为加热电流；Uhot为加热电压。

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