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恭喜深圳市斑岩光子技术有限公司吴芳获国家专利权

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龙图腾网恭喜深圳市斑岩光子技术有限公司申请的专利激光器结构制备方法及激光器结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116780334B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210228849.9,技术领域涉及:H01S5/068;该发明授权激光器结构制备方法及激光器结构是由吴芳;唐涌波;克里斯托·弗华生;克里欧·匹米诺夫;优瑞·罗格温设计研发完成,并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

激光器结构制备方法及激光器结构在说明书摘要公布了:本申请涉及一种激光器结构制备方法及激光器结构,所述方法包括:提供外延结构,外延结构包括依次层叠的衬底、第一掺杂介质层、多量子阱有源层及脊形掺杂介质层;于脊形掺杂介质层上形成光栅结构并于光栅结构的端面形成反射面,所述反射面与光栅结构由同一步光刻掩膜定义,并在半导体刻蚀过程中对此掩膜进行选择性保护,如采用不同刻蚀速率的介质层等方式,以确保所述反射面和光栅结构相对位置不被改变,使从所述反射面反射回激光腔的光具有由设计定义的预设相位,提高了激光器工作的性能及稳定性,降低了生产工艺的复杂度及制造成本,提高良率及可靠性。

本发明授权激光器结构制备方法及激光器结构在权利要求书中公布了:1.一种激光器结构制备方法,其特征在于,包括:提供外延结构,所述外延结构包括依次层叠的衬底、第一掺杂介质层、多量子阱有源层及脊形掺杂介质层;于所述脊形掺杂介质层上形成光栅结构并于所述光栅结构的一端形成反射面,所述光栅结构包括多个沿所述激光器的波导方向周期性间隔分布的光栅沟槽及由各所述光栅沟槽限定的预设导电区域,所述光栅沟槽内形成有至少覆盖所述光栅沟槽的侧壁的透光绝缘层;所述反射面反射回激光腔的光具有可控的预设相位;所述反射面与所述光栅结构由同一片第一掩膜层上的开口图形定义;所述开口图形至少限定所述预设相位;所述光栅沟槽形成于所述脊形掺杂介质层内;所述反射面沿垂直所述衬底的方向贯穿所述脊形掺杂介质层、所述多量子阱有源层并延伸至所述第一掺杂介质层内,所述反射面位于所述光栅沟槽的同一侧;形成顶面电极层,所述顶面电极层至少与所述预设导电区域的顶面形成欧姆电接触,使得经由所述顶面电极层注入的载流子依次流经所述预设导电区域、所述光栅沟槽下方的所述脊形掺杂介质层后横向扩散至所述多量子阱有源层,形成用于提供泵浦的载流子分布区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市斑岩光子技术有限公司,其通讯地址为:518051 广东省深圳市南山区前海深港合作区南山街道桂湾片区二单元前海卓越金融中心(一期)8号楼805;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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