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龙图腾网恭喜中国科学院近代物理研究所申请的专利一种防溅射法拉第筒及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114779311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210457992.5，技术领域涉及：G01T1/29；该发明授权一种防溅射法拉第筒及其制备方法是由冯永春;毛瑞士;徐治国;胡正国;尹炎;康新才;赵铁成设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防溅射法拉第筒及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种防溅射法拉第筒，包括偏压电极、收集电极、光阑和屏蔽筒。所述偏压电极形成为两端开口的筒状，所述偏压电极的顶部形成有向外延伸的第一凸缘。所述收集电极形成为筒状，所述收集电极的顶端开口，底端封闭，所述光阑为筒状，所述光阑套设在所述偏压电极的外侧，所述偏压电极通过所述第一凸缘固定在所述光阑的内壁。所述屏蔽筒的底端封闭，所述屏蔽筒套设在所述收集电极的外侧，所述收集电极通过所述第二电极固定在所述屏蔽筒的内壁，所述屏蔽筒的底部与所述收集电极的底端隔开。所述偏压电极和收集电极之间以及与大地之间通过真空绝缘，仅有的一小部分陶瓷远离束流本身和溅射束流路径，因而能有效解决陶瓷污染问题。

本发明授权一种防溅射法拉第筒及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种防溅射法拉第筒，其特征在于，包括：偏压电极，所述偏压电极形成为两端开口的筒状，所述偏压电极的顶部形成有向外延伸的第一凸缘；收集电极，所述收集电极形成为筒状，所述收集电极的顶端开口，底端封闭，所述收集电极的底部形成有向外延伸的第二凸缘，所述收集电极位于所述偏压电极的正下方，所述收集电极的顶端与所述偏压电极的底端之间隔开形成真空绝缘层；光阑，所述光阑为筒状，所述光阑套设在所述偏压电极的外侧，所述偏压电极通过所述第一凸缘固定在所述光阑的内壁；支撑电极，将所述偏压电极通过第一陶瓷和第一螺钉固定安装在所述支撑电极的顶部；屏蔽筒，所述屏蔽筒的底端封闭，所述屏蔽筒套设在所述收集电极的外侧，所述收集电极通过所述第二凸缘固定在所述屏蔽筒的内壁，所述屏蔽筒的底部与所述收集电极的底端隔开；所述偏压电极和收集电极均为无氧铜材料制成；所述支撑电极、光阑和屏蔽筒均为不锈钢材料制成。

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