恭喜捷捷微电(南通)科技有限公司方合获国家专利权
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龙图腾网恭喜捷捷微电(南通)科技有限公司申请的专利Trench MOS结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210552715.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权Trench MOS结构及其制作方法是由方合;徐雷军;王友伟;王维设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本Trench MOS结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种TrenchMOS结构及其制作方法，首先对外延层进行Body注入形成注入区并进行退火处理，再在注入区进行源极离子注入及退火处理形成源极。之后再对外延层进行刻蚀形成沟槽，于沟槽内生长形成栅氧化层，并在沟槽内填充多晶硅。本方案中，在制作中先进行Body注入和源极离子注入并退火，再进行沟槽制作和多晶硅填充，如此，可有效避免Body注入和源极离子注入后退火的高温对多晶硅产生影响，进而影响器件性能。
本发明授权Trench MOS结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种TrenchMOS结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在提供的衬底一侧形成外延层；对所述外延层进行body注入形成注入区，并进行退火处理；在所述外延层中的注入区进行源极离子注入及退火处理以形成源极；对所述外延层进行刻蚀形成沟槽，所述沟槽位于源极之间；于所述沟槽内生长形成栅氧化层，并在所述沟槽内填充多晶硅；所述对所述外延层进行刻蚀形成沟槽的步骤，包括：在所述外延层远离所述衬底的一侧形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层进行光刻，以在所述外延层上定义出需形成沟槽的刻蚀区域；基于所述刻蚀区域对所述外延层进行刻蚀，以形成沟槽；所述方法还包括：在所述硬掩膜层和所述多晶硅的上方沉积BPSG，其中，所述硬掩膜层在沟槽制作后无需去除，直接作为BPSG下的阻挡层所用。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人捷捷微电(南通)科技有限公司，其通讯地址为：226000 江苏省南通市崇川区苏锡通科技产业园区井冈山路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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