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龙图腾网恭喜福建华佳彩有限公司申请的专利一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210640391.8，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法是由陈伟;潜垚设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法在说明书摘要公布了：一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，包括：依序在玻璃基板上形成金属栅极、栅极绝缘层；栅极绝缘层上沉积有源层；在有源层上表面涂布一层第一正型光阻，进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；Pattern出有源层SE；继续涂布一层第二正型光阻，进行DC制程曝光显影；显影掉被ES光罩光照到的第二正型光阻；采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔；进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，有源层未被蚀刻；Pattern出源漏极；沉积一层钝化绝缘层，形成TFT器件。本发明解决了现有的ESL转BCE架构遇到的有源层背沟道damage的制程问题。

本发明授权一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：依序在玻璃基板上图案化形成金属栅极、栅极绝缘层；第二步：在所述栅极绝缘层上采用物理气相沉积法沉积有源层；第三步：在所述有源层上表面涂布一层第一正型光阻，该第一正型光阻遇光溶于显影液；第四步：进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的所述第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；第五步：图案化形成有源层；此处不进行薄膜制程，即不去除所述第一正型光阻；第六步：随后继续涂布一层第二正型光阻，以原有的ES光罩进行DC制程曝光显影；第七步：显影掉被ES光罩光照到的所述第二正型光阻；第八步：采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔，而原有的ES孔位置因为有所述第一正型光阻的保护，所述有源层SE未被蚀刻到；第九步：进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，所述有源层SE未被蚀刻；第十步：图案化形成源漏极；第十一步：随后采用化学气相沉积法沉积一层钝化绝缘层，形成TFT器件。

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