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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利一种NAND闪存动态写电压方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115033420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210790252.3，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权一种NAND闪存动态写电压方法及装置是由方毅;蔡润彬;史志芳;韩国军;刘畅设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种NAND闪存动态写电压方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种NAND闪存动态写电压方法及装置，本发明公开了一种NAND闪存动态写电压方法及装置，其中方法包括：根据高位信道错误率、低位信道错误率和LDPC码估算的最小汉明距离构建代价函数；以所述代价函数的函数值最小为优化目标，所述第一编程电压和所述第二编程电压为自变量，对所述代价函数进行凸优化计算，输出最优第一编程电压和最优第二编程电压，解决了现有技术中，当码字是只存储在高位比特页或者低位比特页时，由于高、低位的信道错误率不相等，继续使用现有写电压方法会使总的误码率性能变差的技术问题，改善了NAND闪存的总的误码率性能。

本发明授权一种NAND闪存动态写电压方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存动态写电压方法，其特征在于，写电压包括第一编程电压和第二编程电压，所述方法包括：根据高位信道错误率、低位信道错误率和LDPC码估算的最小汉明距离构建代价函数；以所述代价函数的函数值最小为优化目标，所述第一编程电压和所述第二编程电压为自变量，对所述代价函数进行凸优化计算，输出最优第一编程电压和最优第二编程电压；所述高位信道错误率和所述低位信道错误率的计算公式为： ；其中，为高位信道错误率，为低位信道错误率；为最小写入电压的概率密度曲线与第一编程电压的概率密度曲线的相交点，为第一编程电压的概率密度曲线与第二编程电压的概率密度曲线的相交点，为第二编程电压的概率密度曲线与最大写入电压的概率密度曲线的相交点；、、、分别为最小写入电压的概率密度曲线、第一编程电压的概率密度曲线、第二编程电压的概率密度曲线、最大写入电压的概率密度曲线；所述代价函数的表达式为： ；式中，d是LDPC码估计的最小汉明距离。

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