恭喜友达光电股份有限公司吴尚霖获国家专利权
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龙图腾网恭喜友达光电股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210863090.1，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及其制造方法是由吴尚霖;陈衍豪设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、第一氧化物层、绝缘图案、金属氧化物层、栅介电层、栅极、源极以及漏极。第一氧化物层位于基板之上。绝缘图案位于第一氧化物层上，且包括氮化硅层以及第二氧化物层。氮化硅层位于第一氧化物层与第二氧化物层之间。金属氧化物层接触第一氧化物层的上表面、绝缘图案的侧壁以及绝缘图案的上表面。栅介电层位于金属氧化物层上。栅极位于栅介电层上。部分绝缘图案位于栅极与基板之间。源极以及漏极电性连接金属氧化物层。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：一基板；一第一氧化物层，位于该基板之上；一绝缘图案，位于该第一氧化物层上，且包括：一氮化硅层；以及一第二氧化物层，其中该氮化硅层位于该第一氧化物层与该第二氧化物层之间；一金属氧化物层，接触该第一氧化物层的上表面、该绝缘图案的侧壁以及该绝缘图案的上表面；一栅介电层，位于该金属氧化物层上；一栅极，位于该栅介电层上，其中部分该绝缘图案位于该栅极与该基板之间；以及一源极以及一漏极，电性连接该金属氧化物层，其中该金属氧化物层包括一源极区、一漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的一通道区，其中该源极区与该基板之间的距离小于该漏极区与该基板之间的距离，其中该漏极区的氢浓度大于该源极区的氢浓度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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