恭喜深圳量旋科技有限公司梁莹获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳量旋科技有限公司申请的专利一种DMD无掩膜光刻超导量子芯片方法、装置、系统及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115407615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210892994.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种DMD无掩膜光刻超导量子芯片方法、装置、系统及介质是由梁莹;冯冠儒;项金根;孟铁军设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DMD无掩膜光刻超导量子芯片方法、装置、系统及介质在说明书摘要公布了：本发明属于芯片制造技术领域，涉及一种DMD无掩膜光刻超导量子芯片方法，包括以下步骤：导入芯片版图，并阵列排布多个芯片版图得到切图文件；基于衬底材料和芯片版图的尺寸，选取第一曝光时间范围，并基于第一曝光时间范围，分别为所述切图文件内的芯片版图指定不同的曝光停留时间，进行第一次曝光和显影，得到第一组芯片图形；观测第一组芯片图形，判断曝光效果，优化第一曝光时间范围得到第二曝光时间范围；基于第二曝光时间范围，重新为所述切图文件内的芯片版图指定不同的曝光停留时间，进行第二次曝光和显影，得到第二组芯片图形；观测第二组芯片图形，判断曝光效果，确定曝光停留时间。
本发明授权一种DMD无掩膜光刻超导量子芯片方法、装置、系统及介质在权利要求书中公布了：1.一种DMD无掩膜光刻超导量子芯片方法，其特征在于，包括以下步骤：导入芯片版图，并阵列排布多个芯片版图得到切图文件；基于衬底材料和芯片版图的尺寸，选取第一曝光时间范围，并基于第一曝光时间范围，分别为所述切图文件内的芯片版图指定不同的曝光停留时间，进行第一次曝光和显影，得到第一组芯片图形；观测第一组芯片图形，判断曝光效果，优化第一曝光时间范围得到第二曝光时间范围；基于第二曝光时间范围，重新为所述切图文件内的芯片版图指定不同的曝光停留时间，进行第二次曝光和显影，得到第二组芯片图形；观测第二组芯片图形，判断曝光效果，确定曝光停留时间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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