恭喜浙江芯科半导体有限公司钟绵增获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江芯科半导体有限公司申请的专利铋碲硫半导体、制备方法及光电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115537930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211203945.4，技术领域涉及：C30B29/48；该发明授权铋碲硫半导体、制备方法及光电器件是由钟绵增;张芬;夏庆林;束传存;何军设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本铋碲硫半导体、制备方法及光电器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铋碲硫半导体、制备方法及光电器件。铋碲硫半导体为晶体，铋碲硫半导体的化学结构式为BixTeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3。上述的铋碲硫半导体中，Bi2Te3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Te3中，生长出BixTeySz半导体。相比Bi2Te3半导体，BixTeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。
本发明授权铋碲硫半导体、制备方法及光电器件在权利要求书中公布了：1.一种铋碲硫半导体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供铋粉、碲粉和硫粉；所述铋粉、碲粉和硫粉的比例满足BixTeySz的化学结构式要求，其中，x=2；y=0.6；z=2.4；采用化学气相输运直接生长铋碲硫半导体；所述采用化学气相输运直接生长所述铋碲硫半导体的步骤包括：所述铋粉、所述碲粉、所述硫粉和输送介质混合密闭在石英管中，所述石英管内为真空氛围；所述石英管放置于双温区管式炉中，将第一温区设定为540~580℃，第二温区的温度设定为480~520℃，保持1~7天；然后以0.6~1.0℃min的速率冷却至200~300℃，再自然冷却；其中，所述第一温区和所述第二温区的温差为50~100℃；所述石英管的温度达到室温时取出样品，得到铋碲硫半导体。
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