恭喜杭州电子科技大学;杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司温嘉红获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学;杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司申请的专利一种于柔性衬底上制备纳米结构的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115928004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211239413.6,技术领域涉及:C23C14/02;该发明授权一种于柔性衬底上制备纳米结构的方法是由温嘉红;梁龙杰;赵晓宇;张永军;王雅新设计研发完成,并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种于柔性衬底上制备纳米结构的方法在说明书摘要公布了:一种于柔性衬底上制备纳米结构的方法,包括以下步骤:制备PDMA柔性衬底;在所述PDMA柔性衬底上制备六方密排的聚苯乙烯小球阵列,得到柔性衬底上的聚苯乙烯小球阵列;制备PVA水溶胶;将所述PVA水溶胶,旋涂至所述柔性衬底上的聚苯乙烯小球阵列,使得聚苯乙烯小球阵列表面覆盖PVA胶;通过等离子清洗聚苯乙烯小球阵列表面覆盖的所述PVA胶进行刻蚀,以减少聚苯乙烯小球阵列表面PVA胶层的厚度,使聚苯乙烯小球不被PVA胶完全覆盖;利用磁控溅射在经过所述刻蚀PVA胶处理后的聚苯乙烯小球阵列表面上沉积银和二氧化硅;用氢氟酸进行表面化学处理,部分去除所述沉积到聚苯乙烯小球表面的二氧化硅,得到柔性衬底上的银纳米结构。
本发明授权一种于柔性衬底上制备纳米结构的方法在权利要求书中公布了:1.一种于柔性衬底上制备纳米结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1制备PDMS柔性衬底;S2在所述PDMS柔性衬底上制备六方密排的聚苯乙烯小球阵列,得到柔性衬底上的聚苯乙烯小球阵列;S3制备PVA水溶胶;S4将所述PVA水溶胶,旋涂至所述S2中得到的柔性衬底上的聚苯乙烯小球阵列,使得聚苯乙烯小球阵列表面覆盖PVA胶;S5通过等离子清洗聚苯乙烯小球阵列表面覆盖的所述PVA胶进行刻蚀,以减少聚苯乙烯小球阵列表面PVA胶层的厚度,使聚苯乙烯小球不被PVA胶完全覆盖;所述刻蚀的时间范围为90s到240s;S6利用磁控溅射在经过所述S5刻蚀PVA胶处理后的聚苯乙烯小球阵列表面上沉积银和二氧化硅;S7对所述S6中沉积到聚苯乙烯小球表面的所述二氧化硅,用氢氟酸进行表面化学处理,得到柔性衬底上的银纳米结构;所述步骤S2中在所述PDMS柔性衬底上制备六方密排的聚苯乙烯小球阵列的方法包括以下步骤;将直径500nm聚苯乙烯小球和无水乙醇的按照体积比为1:1混合,再通过超声处理使聚苯乙烯小球均匀分散,得到聚苯乙烯小球分散液,取一块硅片,用移液枪将聚苯乙烯小球分散液滴在硅片上,使聚苯乙烯小球分散液均匀分布在硅片上,将硅片缓慢倾斜的滑入液面平稳的器皿中,在水面上形成密排的聚苯乙烯小球阵列,最后用S1中得到的PDMS柔性衬底将浮在水面上的小球阵列缓慢的捞起来,进行吸水干燥;所述步骤S6中,所述磁控溅射包括以下步骤:将银靶和二氧化硅靶各自向所述柔性衬底倾斜40度,同时进行溅射,溅射银的功率为10W,溅射二氧化硅功率为40W,溅射开始前背景气压为4.5×10-4Pa,通入25sccm的Ar,溅射时背景气压为1.5Pa,溅射时间为10min,沉积得到的银和硅的元素质量比为4:1。
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