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龙图腾网恭喜中国科学院金属研究所申请的专利钽基体或涂层上同源生长具有高质量界面的钽基化合物薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115874168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211551721.2，技术领域涉及：C23C18/12；该发明授权钽基体或涂层上同源生长具有高质量界面的钽基化合物薄膜的方法是由刘岗;徐伟;甄超;白朔;成会明设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本钽基体或涂层上同源生长具有高质量界面的钽基化合物薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电催化、电催化、微电子器件以及传感器领域，具体为一种钽基体或涂层上同源生长具有高质量界面的钽基化合物薄膜的方法。以金属钽基体或涂层为前驱体，在含氟的前驱体溶液环境中，利用水热处理在其表面原位析出与钽基体具有高质量界面的同源金属化合物薄膜。通过适当气氛下的热处理得到与钽基体具有半共格界面的钽氧氟薄膜，再经过不同气氛下进行二次热处理，得到与钽基体具有高质量界面的其它钽化合物薄膜。本发明可有效改善钽基化合物薄膜与基体的界面，促进电荷的高效转移，为基于钽基功能薄膜发展的光电催化、电催化、微电子器件以及传感器等领域提供了高性能材料新的制备方法。

本发明授权钽基体或涂层上同源生长具有高质量界面的钽基化合物薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种钽基体或涂层上同源生长具有高质量界面的钽基化合物薄膜的方法，其特征在于，以金属钽基体或涂层为前驱体，在含氟的前驱体溶液环境中，利用水热处理在其表面原位析出与钽基体或涂层具有高质量界面的同源金属化合物薄膜；通过不同气氛下的一次热处理，得到与钽基体或涂层具有共格或半共格界面的钽氧氟薄膜；再经过不同气氛下进行二次热处理，得到与钽基体或涂层具有高质量界面的其它钽基化合物薄膜；同源金属化合物为氨钽氧氟NH42Ta2O3F6,NH43TaOF6；一次热处理获得钽氧氟的气氛包括空气、氧气、氮气、氩气、氨气、氦气、氢气、硫化氢、硼烷、甲烷、乙炔、一氧化碳、二氧化碳、二氧化硫之一种或两种以上的混合气体，热处理温度为100～800℃之间，热处理时间为5min～10h之间，升温速率为1～30℃min之间；将与钽基体或涂层具有共格或半共格界面的钽氧氟薄膜在不同气氛下进行二次热处理，处理气氛包括空气、氧气、氮气、氩气、氨气、氦气、氢气、硫化氢、硼烷、甲烷、乙炔、一氧化碳、二氧化碳、二氧化硫之一种或两种以上的混合气体，处理温度为150～1200℃之间，处理时间为15min～48h之间，升温速率为1～20℃min之间。

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