恭喜西安奕斯伟材料科技股份有限公司张舸获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请的专利硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115816267B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211718365.9，技术领域涉及：B24B29/02；该发明授权硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置是由张舸设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，所述承载件包括：形成有通孔的本体；衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬形成有导流通道，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述导流通道排出。能够降低硅片的周缘处的抛光程度，从而减小硅片的周缘处与中央处的抛光程度之间的差异，改善硅片表面平坦度。
本发明授权硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置在权利要求书中公布了：1.一种硅片双面抛光装置的承载件，其特征在于，所述承载件包括：形成有通孔的本体；衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬形成有导流通道，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述导流通道排出，使得所述间隙处的抛光液的量减少，由此降低所述硅片的周缘处的抛光程度，改善所述硅片的表面平坦度；以及设置在所述本体与所述内衬之间的缓冲层，其中，所述导流通道的入口形成在所述内衬的底部处，其中，所述导流通道的出口形成在所述内衬的底面上，其中，所述导流通道为从所述内衬的底面凹入的凹槽。
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