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龙图腾网恭喜扬州大学申请的专利一种共生铋系层状铁电Bi₇Ti₄NbO₂₁半导体材料的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116639729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310609389.9，技术领域涉及：C01G33/00；该发明授权一种共生铋系层状铁电Bi₇Ti₄NbO₂₁半导体材料的制备方法及其应用是由于洪鉴;纪媛媛;张燕;韩杰设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种共生铋系层状铁电Bi₇Ti₄NbO₂₁半导体材料的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种共生铋系层状铁电Bi7Ti4NbO21半导体材料的制备方法及其应用，其制备方法包括以下步骤：步骤1：按化学计量比，将铋源、Nb2O5、钛源加入水中，搅拌均匀；步骤2：然后向步骤1得到的混合液中倒入碱溶液，继续搅拌均匀；步骤3：接着将步骤2得到的混合液转移至水热釜中，进行加热反应；步骤4：将步骤3反应所得产物洗涤烘干，即为共生铁电Bi7Ti4NbO21半导体材料。本发明利用溶剂热法合成出比表面积大，活性位点丰富，晶型完整、粒度分散均匀，具有较强的铁电性能和优异的光催化性能的铋系层状共生铁电Bi7Ti4NbO21半导体材料。

本发明授权一种共生铋系层状铁电Bi₇Ti₄NbO₂₁半导体材料的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种共生铋系层状铁电Bi7Ti4NbO21半导体材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：按化学计量比将铋源、Nb2O5、钛源加入水中，搅拌均匀；步骤2：然后向步骤1得到的混合液中倒入碱溶液，继续搅拌均匀；步骤3：接着将步骤2得到的混合液转移至水热釜中，进行加热反应；步骤4：将步骤3反应所得产物洗涤烘干，即为共生铁电Bi7Ti4NbO21半导体材料；所述步骤1中，铋源为铋盐，选自五水合硝酸铋、硫酸铋、氯化铋、柠檬酸铋中的至少一种；所述步骤1中，钛源选自二氧化钛、钛酸四丁酯、四氯化钛中的至少一种；所述步骤2中，碱溶液选自氢氧化钠、氢氧化钾中的至少一种，所述碱溶液在整个反应液中的碱浓度3-6molL；所述步骤3中，反应温度为200～240℃，时间为20～30h；所述步骤4中，产物分别通过无水乙醇、去离子水各清洗3次并离心若干次；所述步骤4中，50～70℃下烘干12～24h。

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