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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118157444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410237806.6，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法是由龙柳;肖凡;涂春鸣;白丹;郭祺;肖标;韩硕设计研发完成，并于2024-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，包括以下步骤：步骤S1、设置负载电流后，通过损耗模型计算实际所给范围内不同驱动电压下的MOSFET与IGBT损耗；步骤S2、以负载电流有效值作为限制条件，判断变流器工况属于轻载或是重载；步骤S3、根据判定的负载工况进行驱动电压的主动调节：若为轻载，则使SiCMOSFET、SiIGBT的实际驱动电压等于使混合器件损耗最大化的驱动电压，若为重载，SiCMOSFET、SiIGBT的实际驱动电压等于使混合器件损耗最小化的驱动电压。本发明能够实现减小混合器件在负载变化时的结温波动并降低器件总损耗。

本发明授权考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、设置负载电流后，通过损耗模型计算实际所给范围内不同驱动电压下的MOSFET与IGBT损耗，确定使MOSFET损耗最大化与最小化的驱动电压模式，记使混合器件损耗最大化的驱动电压模式为：VGM＝Vloss_max_MOS、VGT＝Vloss_max_IGBT，损耗最小化为VGM＝Vloss_min_MOS、VGT＝Vloss_min_IGBT，并通过热网络模型得到对应的器件稳态结温；步骤S2、以负载电流有效值作为限制条件，判断变流器工况属于轻载或是重载；步骤S3、根据判定的负载工况进行驱动电压的主动调节：若为轻载，则采用VGM＝Vloss_max_MOS、VGT＝Vloss_max_IGBT模式使SiCMOSFET损耗最高，达到抬升SiCMOSFET结温的目标；若为重载，则采用VGM＝Vloss_min_MOS、VGT＝Vloss_min_IGBT模式以最小化SiCMOSFET损耗来降低其结温；式中，VGM、VGT分别为SiCMOSFET、SiIGBT的实际驱动电压；Vloss_max_MOS、Vloss_max_IGBT分别为使混合器件中SiCMOSFET、SiIGBT损耗最大化的驱动电压，Vloss_min_MOS、Vloss_min_IGBT分别为使混合器件中SiCMOSFET、SiIGBT损耗最小化的驱动电压。

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