恭喜半导体组件工业公司迈克尔·J·塞登获国家专利权
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龙图腾网恭喜半导体组件工业公司申请的专利半导体器件以及用于形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110190041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910137647.1，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体器件以及用于形成半导体器件的方法是由迈克尔·J·塞登;野间崇;和央冈田;英章吉见;四方田尚之;林育圣设计研发完成，并于2019-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及用于形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件以及用于形成半导体器件的方法。本发明公开了半导体器件，所述半导体器件的实施方式可包括管芯，所述管芯具有第一侧和第二侧；接触接垫，所述接触接垫耦接到所述管芯的所述第一侧；以及金属层，所述金属层耦接到所述管芯的所述第二侧。所述管芯的厚度可不超过所述金属层的厚度的四倍。
本发明授权半导体器件以及用于形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：管芯，所述管芯包括第一侧和第二侧；接触接垫，所述接触接垫耦接到所述管芯的所述第一侧；金属层，所述金属层耦接到所述管芯的所述第二侧；和模制化合物，所述模制化合物直接耦接到所述金属层；其中所述模制化合物的外侧壁包括背向所述金属层的台阶；其中所述管芯的厚度小于30微米；其中所述接触接垫通过耦接在所述管芯上方的钝化层暴露；其中所述管芯是经切割的管芯；其中所述模制化合物覆盖并接触所述金属层的最外侧壁；其中所述管芯的外侧壁与所述模制化合物的最外侧壁共面；且其中整个所述金属层的周边小于所述管芯的周边并位于所述管芯的周边内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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