恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈思颖获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910575177.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由陈思颖;邱雅文;赵晟博;詹易哲;廖志评;王永豪;薛森鸿设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，包括：蚀刻多个沟槽于一基板中，以形成一鳍状物；采用可流动的化学气相沉积工艺，以沉积一绝缘材料于所述多个沟槽的每一者中，且该绝缘材料为氮化物；将该绝缘材料置入一第一加压环境；在该绝缘材料处于该第一加压环境中时，在该绝缘材料上进行一第一退火工艺，其中该第一加压环境的压力大于10大气压，其中该第一退火工艺之后的该绝缘材料为氧化物；薄化该绝缘材料以露出该鳍状物；形成一虚置栅极于该基板上；形成一层间介电层以围绕该虚置栅极；移除该虚置栅极以形成一开口；以及形成一栅极于该开口中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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