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龙图腾网恭喜杭州广立微电子股份有限公司申请的专利栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118858907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411346965.6，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质是由吴振雄;杨璐丹;林均铭设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质，该方法通过在版图的标准单元区域中确定至少一个目标区域；在目标区域中，得到第一辅助图形和第二辅助图形；基于第一辅助图形和第二辅助图形分别生成第一金属线和第二金属线；从目标区域的栅极多晶硅中定义第一目标栅极多晶硅和第二目标栅极多晶硅；在第一金属线与第一目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔，在第二金属线与第二目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔；第一金属线第二金属线分别通过栅极通孔连接第一目标栅极多晶硅第二目标栅极多晶硅，得到栅极多晶硅短接测试结构，解决了测试结构生成效率和良率低的问题，实现测试结果自动生成，提高效率和精度。

本发明授权栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，所述方法包括：获取版图，在所述版图的标准单元区域中确定测试区域，并将所述测试区域划分成至少一个目标区域；在所述目标区域中，基于在不同掺杂有源区的电源线区域设置辅助线，对所述辅助线进行移动延伸处理，得到第一辅助图形和第二辅助图形；基于所述第一辅助图形和所述第二辅助图形分别生成第一金属线和第二金属线；其中，对所述辅助线进行移动延伸处理，得到第一辅助图形和第二辅助图形，包括：分别对所述辅助线进行第一移动处理和第二移动处理，所述第一移动处理和所述第二移动处理方向相反；将进行所述第一移动处理的所述辅助线进行延伸，得到第一辅助图形；将进行所述第二移动处理的所述辅助线进行延伸，得到第二辅助图形；从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅后，将位于第一位置的有效栅极多晶硅作为第一目标栅极多晶硅，将位于第二位置的有效栅极多晶硅作为第二目标栅极多晶硅；在所述第一金属线与所述第一目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔，在所述第二金属线与所述第二目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔；所述第一金属线通过所述栅极通孔连接所述第一目标栅极多晶硅，所述第二金属线通过所述栅极通孔连接所述第二目标栅极多晶硅，完成所述栅极多晶硅短接测试结构的生成。

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