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龙图腾网恭喜杭州广立微电子股份有限公司申请的专利栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118858905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411346862.X，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质是由吴振雄;杨璐丹;林均铭设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质，其中，该方法通过获取版图，在版图的标准单元区域中确定至少两个目标区域；获取目标区域中的栅极多晶硅，通过设置辅助图形，将目标区域中的栅极多晶硅进行覆盖串联，并将至少两个目标区域中的辅助图形并联；基于目标区域中的栅极切断层和连接栅极多晶硅的金属互连线，筛选栅极多晶硅得到目标栅极多晶硅；基于辅助图形和目标栅极多晶硅生成金属结构；金属结构通过栅极通孔连接栅极多晶硅，解决了相关技术中存在手动搭建栅极多晶硅测试结构效率低，质量差的问题，实现了通过获取到的版图信息使用脚本快速生成测试结构，提高了测试结构生成的效率和准确性。

本发明授权栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质在权利要求书中公布了：1.一种栅极多晶硅断路测试结构的生成方法，其特征在于，所述方法包括：获取版图，在所述版图的标准单元区域中确定测试区域，并将所述测试区域分成至少两个目标区域；获取所述目标区域中的栅极多晶硅，通过设置辅助图形，将所述目标区域中的所述栅极多晶硅进行覆盖串联，并将所述至少两个目标区域中的辅助图形并联；基于所述目标区域中的栅极切断层和连接栅极多晶硅的金属互连线，筛选所述栅极多晶硅得到目标栅极多晶硅；在所述目标栅极多晶硅的端部确定栅极通孔的位置，并生成所述栅极通孔；基于所述辅助图形和目标栅极多晶硅确定金属层图形，基于所述金属层图形生成金属结构；所述金属结构通过所述栅极通孔连接所述目标栅极多晶硅，完成所述栅极多晶硅断路测试结构的生成。

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