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龙图腾网恭喜湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411451140.0，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体器件是由何志强;蔡文必;林志东;李庆丰;曾令平设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件，包括：半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区；若干源区设于有源区；第一导电层的栅极电极层设置在有源区，与栅极电极层连接的栅极总线层设置在边缘终端区；层间介质层覆盖第一导电层；第二导电层设于层间介质层远离半导体外延片的一侧；第二导电层包括源极焊盘和栅极焊盘；源极焊盘至少设于有源区且与源区电连接；栅极焊盘至少设置于边缘终端区且与栅极总线层电连接；第一导电层还包括电容极板层，栅极电极层和栅极总线层均与电容极板层彼此绝缘；源极焊盘与电容极板层电连接；栅极焊盘的部分与电容极板层的部分层叠设置且被介电层隔离，介电层的厚度小于层间介质层的厚度。该半导体器件降低了串扰风险。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体外延片，包括有源区和围绕所述有源区的边缘终端区；若干源区，设置于所述有源区；第一导电层，包括相互电连接的栅极电极层和栅极总线层；所述栅极电极层设置在所述有源区，所述栅极总线层设置在所述边缘终端区；层间介质层，覆盖所述第一导电层；第二导电层，设置于所述层间介质层远离所述半导体外延片的一侧；所述第二导电层包括源极焊盘和栅极焊盘；所述源极焊盘至少设置于所述有源区且与所述源区电连接；所述栅极焊盘至少设置于所述边缘终端区且与所述栅极总线层电连接；其中，所述第一导电层还包括电容极板层，所述栅极电极层和所述栅极总线层均与所述电容极板层彼此绝缘；所述源极焊盘与所述电容极板层电连接；所述栅极焊盘的部分与所述电容极板层的部分层叠设置且被介电层隔离，所述介电层的厚度小于所述层间介质层的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410217 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。