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龙图腾网恭喜江苏爱矽半导体科技有限公司申请的专利基于晶圆级封装的二极管制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119419145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510013060.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基于晶圆级封装的二极管制备工艺是由彭劲松;郭天宇;张巍;刘志坤设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于晶圆级封装的二极管制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及封装二极管技术领域，特别是指基于晶圆级封装的二极管制备工艺，该制备工艺包括：基于在目标晶圆上形成初始凸点，进行一次形成质量检测，根据一次沉积检测结果确定是否开启回流焊模式，并基于开启回流焊模式，根据一次沉积检测结果确定实际回流参数；根据实际回流参数加热目标晶圆，以形成目标凸点；在回流加热过程中，对目标晶圆进行实时监测，根据回流监测参数集合确定回流加热过程的各阶段时间节点；基于回流加热过程结束，对目标晶圆进行封装、切割，在切割过程中对获取的各二极管晶圆粒进行电性测试，并对电性测试不合格的二极管晶圆粒进行标记以获得电性标记结果，并根据所述电性标记结果确定实际异常原因。

本发明授权基于晶圆级封装的二极管制备工艺在权利要求书中公布了：1.基于晶圆级封装的二极管制备工艺，包括：在目标晶圆上设置有若干目标二极管，在各目标二极管对应的焊盘上沉积形成初始凸点；基于在所述目标晶圆上形成所述初始凸点，对目标晶圆进行一次形成质量检测，以获得一次沉积检测结果，根据所述一次沉积检测结果确定是否开启回流焊模式，并基于开启所述回流焊模式，根据一次沉积检测结果确定实际回流参数；根据所述实际回流参数加热所述目标晶圆，使初始凸点熔化并流动，以形成目标凸点；在回流加热过程中，对所述目标晶圆进行实时监测，以得到回流监测参数集合，根据所述回流监测参数集合确定回流加热过程的各阶段时间节点；基于回流加热过程结束，对所述目标晶圆进行封装、切割，在切割过程中对获取的各二极管晶圆粒进行电性测试，并对电性测试不合格的二极管晶圆粒进行标记以获得电性标记结果，并根据所述电性标记结果确定实际异常原因。

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