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龙图腾网恭喜德运创鑫(北京)科技有限公司申请的专利用于叠瓦组件的电池片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109659393B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811511239.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权用于叠瓦组件的电池片的制备方法是由龙永灯设计研发完成，并于2018-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于叠瓦组件的电池片的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，包括：通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；对所述硅片的切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。本申请实施例通过掩膜板和丝印网版在硅片的沉积区域沉积薄膜和制作电极，并预留出待切割区域，可以对待切割区域进行切割，从而得到无PN结损伤的电池片，为叠瓦组件提供高质量的片源，进而提高叠瓦组件的效率。

本发明授权用于叠瓦组件的电池片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；对所述硅片的切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片；所述通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片，包括：通过第一掩膜板在硅片的沉积区域沉积本征层、P型掺杂层和N型掺杂层；通过第二掩膜板在所述P型掺杂层和N型掺杂层上的沉积区域沉积透明导电膜；通过所述丝印网版在所述透明导电膜上的沉积区域制作电极，得到所述光伏电池芯片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人德运创鑫(北京)科技有限公司，其通讯地址为：101102 北京市通州区中关村科技园区通州园金桥科技产业基地环科中路17号26幢1至3层102-LQ307；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。