买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜英飞凌科技两极有限两合公司申请的专利短路半导体器件及其运作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112074952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980011054.9，技术领域涉及：H01L23/62；该发明授权短路半导体器件及其运作方法是由U·克尔纳-韦德豪森;M·施特尔特;M·德罗尔德纳;D·皮科尔日;P·魏德纳;R·巴特尔梅斯;M·申克;J·普日比拉设计研发完成，并于2019-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本短路半导体器件及其运作方法在说明书摘要公布了：一种短路半导体器件15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72包括半导体本体16，其中，布置有第一导电类型的背面基极区域6、与所述第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域7和第一导电类型的正面基极区域8。所述背面基极区域6与背面电极11导电地相连接，所述背面电极具有背面电极宽度WER，并且所述正面基极区域8与正面电极10导电地相连接，所述正面电极具有正面电极宽度WEV，其中，至少一个正面接通结构17被嵌入到所述正面基极区域中并且至少部分地被所述正面电极10覆盖，所述正面接通结构具有正面接通结构宽度WSV，和或者至少一个背面接通结构31被嵌入到所述背面基极区域中并且至少部分地被所述背面电极覆盖，所述背面接通结构具有背面接通结构宽度WSR。所述接通结构被设计成依赖于输入的接通信号而接通并且一次性地在两个电极之间建立不可逆的、低电阻的连接。所述正面接通结构宽度与所述正面电极宽度的比率以及所述背面接通结构宽度与所述背面电极宽度的比率分别小于1。本发明还涉及一种用于运作这样的短路半导体器件15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72的方法。

本发明授权短路半导体器件及其运作方法在权利要求书中公布了：1.一种短路半导体器件，所述短路半导体器件包括半导体本体16、25、32、39、43、48、51、55、58、61、69、74，其中，在垂直方向v上，从具有通过其几何中心确定的背面中心13的背面4出发，在朝着与所述背面4相对置的、具有通过其几何中心确定的正面中心13的正面5的方向上，依次地布置有第一导电类型的背面基极区域6、与所述第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域7和第一导电类型的正面基极区域8，其中，所述背面基极区域6与施加在所述背面4上的背面电极11导电地相连接，所述背面电极具有通过其横向延伸范围给定的横向背面电极宽度WER，并且所述正面基极区域8与施加在所述正面5上的正面电极10导电地相连接，所述正面电极具有通过其横向延伸范围给定的横向正面电极宽度WEV，其中，至少一个正面接通结构17、23、30、35、41、50、53、63被嵌入到所述正面基极区域8中并且至少部分地被所述正面电极10覆盖，所述正面接通结构具有通过其横向延伸范围给定的横向正面接通结构宽度WSV，和或者至少一个背面接通结构31、36、46、57被嵌入到所述背面基极区域6中并且至少部分地被所述背面电极11覆盖，所述背面接通结构具有通过其横向延伸范围给定的横向背面接通结构宽度WSR，其中，所述接通结构17、23、30、31、35、36、41、46、50、53、57、63被这样地设置和布置，使所述接通结构依赖于输入给所述半导体本体16、25、32、39、43、48、51、55、58、61、69、74的、可预先确定的接通信号而接通并且一次性地在所述正面电极10和所述背面电极11之间建立永久的、不可逆的、导电的、低电阻的连接，在存在所述正面接通结构17、23、30、35、41、50、53、63的情况下，在所述横向正面接通结构宽度WSV与所述横向正面电极宽度WEV的比率小于1，并且在存在所述背面接通结构31、36、46、57的情况下，所述横向背面接通结构宽度WSR与所述横向背面电极宽度WER的比率小于1，其中，所述接通结构是第二导电类型的发射极结构17、23、30、35、36、41、46、53、63，所述发射极结构被嵌入到所述正面基极区域8或所述背面基极区域6中并且与施加到各自的基极区域6、8上的电极10、11导电地接触，所述发射极结构能够借助于至少一个以电的方式通过所述半导体本体16、25、32、39、43、48、51、55、58、61、69、74作用于所述发射极结构上的触发结构20、26、37、38、42、47、54、60被接通，其中，所述触发结构20、26、37、38、42、47、54、60又能够借助于所述接通信号被激活，其特征在于，包含所述发射极结构17、23、30、35、36、41、46、53、63的基极区域6、8的表面电阻被以这样的方式设置，使得来自所述接通信号且输入给所述发射极结构17、23、30、35、36、41、46、53、63的、用于接通所述发射极结构17、23、30、35、36、41、46、53、63的最小接通电流具有至少1A的电流强度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技两极有限两合公司，其通讯地址为：德国瓦尔施泰因；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。