恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司H·钱德拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利用于制备含硅和氮的膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114959653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210697477.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权用于制备含硅和氮的膜的方法是由H·钱德拉;雷新建;金武性设计研发完成，并于2019-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制备含硅和氮的膜的方法在说明书摘要公布了：公开了一种用于电子器件的制造中的组合物和使用该组合物的方法。还公开了用于沉积高质量氮化硅或碳掺杂氮化硅的化合物、组合物和方法。
本发明授权用于制备含硅和氮的膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过等离子体增强ALD工艺形成含硅和氮的膜的方法，该方法包括：a在反应器中提供包含表面特征的衬底；b将反应器加热至最高达600℃的范围的一个或多个温度，并任选地将反应器保持在100托或更低的压力下；c向反应器中引入至少一种硅前体以在所述衬底上形成含硅物质，所述硅前体选自： d使用第一惰性气体吹扫所述反应器的来自步骤c的任何未反应的硅前体和或任何反应副产物；e将包含氨源的等离子体提供到所述反应器中以与所述含硅物质反应而形成氮化硅膜；f用第二惰性气体吹扫所述反应器的来自步骤e的任何进一步的反应副产物；和g根据需要重复步骤c至f以使所述氮化硅膜达到预定的厚度；其中所述膜的介电常数k为7或更小，氧含量为5at.％或更低，且碳含量为3at.％或更低，其通过X射线光电子能谱测量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人弗萨姆材料美国有限责任公司，其通讯地址为：美国亚利桑那州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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