恭喜台积电(南京)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司谢昇霖获国家专利权
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龙图腾网恭喜台积电(南京)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951721B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911270313.8，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺是由谢昇霖;陈奕志;谢静佩;陈冠蓉设计研发完成，并于2019-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺在说明书摘要公布了：本公开涉及用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺。提供了一种形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成抗蚀剂结构。抗蚀剂结构包括抗反射涂层ARC层和ARC层上方的光致抗蚀剂层。该方法还包括对光致抗蚀剂层进行图案化以在其中形成沟槽。该方法还包括对经图案化的光致抗蚀剂层执行氢等离子体处理。氢等离子体处理被配置为在不蚀刻ARC层的情况下使沟槽的侧壁平滑。该方法还包括使用经图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模来对ARC层进行图案化。
本发明授权用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：在硬掩模上方形成抗蚀剂结构，所述抗蚀剂结构包括抗反射涂层ARC层和位于所述ARC层上方的光致抗蚀剂层；对所述光致抗蚀剂层进行图案化以在其中形成沟槽；对经图案化的光致抗蚀剂层执行氢等离子体处理，其中，所述氢等离子体处理被配置为使所述沟槽的侧壁平滑，并且所述氢等离子体处理是在200℃至600℃的范围内的温度下执行的；使用所述经图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模来对所述硬掩模进行图案化；在所述硬掩模上方形成另一抗蚀剂结构，所述另一抗蚀剂结构包括另一抗反射涂层ARC层和位于所述另一ARC层上方的另一光致抗蚀剂层；对所述另一光致抗蚀剂层进行图案化以在其中形成另一沟槽；对经图案化的另一光致抗蚀剂层执行另一氢等离子体处理；以及使用所述经图案化的另一光致抗蚀剂层作为第二蚀刻掩模对所述硬掩模进行图案化。
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