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龙图腾网恭喜珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010055038.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法是由陈道坤;史波;曾丹;敖利波设计研发完成，并于2020-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。

本发明授权一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件终端结构，其特征在于，包括：N型碳化硅衬底；形成于所述N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅外延层背离所述N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行所述N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区与第二JTE区，所述第一JTE区与所述P+区连接，且所述第一JTE区与所述第二JTE区不同层设置；形成于所述N型碳化硅外延层背离所述N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，当所述第一JTE区位于所述第二JTE区背离所述N型碳化硅衬底一侧时，所述第一JTE区与所述介质钝化层接触；当所述第二JTE区位于所述第一JTE区背离所述N型碳化硅衬底一侧时，所述第二JTE区与所述介质钝化层接触；所述第一JTE区在所述N型碳化硅衬底上的正投影和所述第二JTE区在所述N型碳化硅衬底上的正投影无交叠。

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