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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利集成装置的多层布置及形成感测/存取线的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113748512B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080031997.0，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权集成装置的多层布置及形成感测/存取线的方法是由韦磊;李红旗设计研发完成，并于2020-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成装置的多层布置及形成感测/存取线的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含一种具有存储器层的布置，所述存储器层具有耦合区的相对侧上的存储器单元。第一感测存取线在所述存储器单元下方，且与所述存储器单元电连接。导电互连件在所述耦合区内。第二感测存取线跨所述存储器单元且跨所述导电互连件延伸。所述第二感测存取线具有具第一导电材料上方的第二导电材料的第一区，且具有仅具所述第二导电材料的第二区。所述第一区在所述存储器单元上方，且与所述存储器单元电连接。所述第二区在所述导电互连件上方且与所述导电互连件电耦合。额外层在所述存储器层下方，且包含与所述导电互连件耦合的CMOS电路系统。一些实施例包含形成多层布置的方法。

本发明授权集成装置的多层布置及形成感测/存取线的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成装置，其包括：第一层，其包含耦合区的一侧上的第一组存储器单元及所述耦合区的相对侧上的第二组存储器单元；第一系列的感测存取线，其在所述第一组及所述第二组的所述存储器单元下方，且与所述第一组及所述第二组的所述存储器单元电连接；导电互连件，其在所述第一层的所述耦合区内；第二系列的感测存取线，其跨所述第一组及所述第二组的所述存储器单元且跨所述导电互连件延伸；所述第二系列的所述感测存取线具有包括第一组合物的第一区，且具有包括不同于所述第一组合物的第二组合物的第二区；所述第一区在所述第一组及所述第二组的所述存储器单元上方且与所述第一组及所述第二组的所述存储器单元电连接；所述第二区在所述导电互连件上方且与所述导电互连件电耦合，其中在所述导电互连件的至少一部分处之上没有所述第一组合物；及第二层，其从所述第一层垂直地偏移；所述第二层包括与所述导电互连件耦合的电路系统。

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