恭喜台湾积体电路制造股份有限公司金海光获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储单元、存储器器件以及用于形成存储器器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112436087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010656452.0，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权存储单元、存储器器件以及用于形成存储器器件的方法是由金海光;吴启明;蔡正原;蔡子中;江法伸设计研发完成，并于2020-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器器件以及用于形成存储器器件的方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。
本发明授权存储单元、存储器器件以及用于形成存储器器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括：底部电极；顶部电极，上覆于所述底部电极；以及数据存储结构，安置于所述顶部电极与所述底部电极之间，其中所述数据存储结构包括第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层，其中所述第二数据存储层安置于所述第一数据存储层与所述第三数据存储层之间，其中所述第二数据存储层具有比所述第三数据存储层低的带隙，且其中所述第一数据存储层具有比所述第二数据存储层低的带隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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