恭喜台湾积体电路制造股份有限公司许峯诚获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010784025.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权封装结构及其形成方法是由许峯诚;郑心圃;陈硕懋设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开的一些实施例提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一封装基板、一中介基板、一第一半导体装置、一第二半导体装置以及一保护层。中介基板设置在封装基板上方。第一半导体装置以及第二半导体装置设置在中介基板上方，其中第一半导体装置以及第二半导体装置是不同类型的电子装置。保护层形成在中介基板上方，以包围第一半导体装置以及第二半导体装置。第二半导体装置自保护层暴露，而第一半导体装置并未自保护层暴露。
本发明授权封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，包括：一封装基板；一中介基板，设置在该封装基板上方；一第一半导体装置以及一第二半导体装置，设置在该中介基板上方，其中该第一半导体装置以及该第二半导体装置是不同类型的电子装置；一覆盖膜，覆盖该第一半导体装置的一顶表面；以及一保护层，形成在该中介基板上方，以包围该第一半导体装置以及该第二半导体装置，其中该第二半导体装置自该保护层暴露，而该第一半导体装置并未自该保护层暴露，其中该保护层包括覆盖该覆盖膜的一顶表面的一覆盖部；其中该覆盖膜具有较该覆盖部高的硬度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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