恭喜深圳市奥谱太赫兹技术研究院尹华碧获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市奥谱太赫兹技术研究院申请的专利多电子束聚焦装置和控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111883408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010812526.5,技术领域涉及:H01J37/317;该发明授权多电子束聚焦装置和控制方法是由尹华碧设计研发完成,并于2020-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本多电子束聚焦装置和控制方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多电子束聚焦装置和控制方法,所述多电子束聚焦装置包括用以产生电子束的热或冷场发射阴极电子源和栅极、电子束分束的分束器、提高电子束能量的加速透镜、提高电子束质量的消相差透镜、对各电子束束斑的高分辨物镜阵列、对电子束位置进行微调的电子束偏转器以及控制电子束通过的束闸,以便于对电子束的精准控制,因此在相同面积的圆晶上可以容纳数量更多的电子束实现同时曝光,提高了集成电路加工应用中的精度和速度。
本发明授权多电子束聚焦装置和控制方法在权利要求书中公布了:1.一种多电子束聚焦装置,其特征在于:包括沿电子束发射方向依次设置的电子束发射源(1)、分束器(2)、加速透镜(3)、消相差透镜(4)、物镜阵列(5)、电子束偏转器(6)和束闸(7);所述分束器(2)上设置有若干阵列设置的分束微孔,所述分束器(2)的表面涂敷有石墨层,其位于分束器2的电子束发射源1的发射侧;所述加速透镜(3)上施加有电压为15KV的高电压静电场,使分束后的电子能量加强;所述电子束发射源(1)产生的电子束依次经分束器(2)分束、加速透镜(3)提高电子束的能量、消相差透镜(4)消除相差提高电子束质量、物镜阵列(5)对各电子束的束斑进行聚焦提高分辨率,并由电子束偏转器(6)微调电子束的位置后,由束闸(7)控制电子束的导通或者关断;所述电子束偏转器(6)数量与分束后的电子束一一对应,所述多电子束聚焦装置还包括用于控制电子束偏转器(6)的工作状态的第一处理器,所述第一处理器通过数据总线与电子束偏转器(6)电连接;所述电子束偏转器(6)包括第一偏置电极(61)、第二偏置电极(62)、第三偏置电极(63)、第四偏置电极(64)和数模转换模块,四个偏置电极围绕成环形结构,四个偏置电极分别置于四个电路层中,每个偏置电极均通过数模转换模块、数据总线与第一处理器电连接;每个偏置电极能够被单独配置,需要配置的电压值通过数据总线输送到前端的处理电路中,进行数模转化后成为偏置电压;所述束闸(7)数量与分束后的电子束一一对应,所述多电子束聚焦装置还包括用于控制束闸(7)的工作状态的第二处理器,所述第二处理器通过光电传输模块与束闸(7)电连接;所述束闸(7)包括第一束闸电极(71)、第二束闸电极(72)和光电传输模块,两个束闸电极分别置于两个电路层中,其中一个接地,另外一个为偏置电压,所有束闸(7)都具有相同偏置电压,所述束闸(7)通过光电传输模块与第二处理器电连接,使每个电子束都配备独立的束闸,以阻断或者通过电子束,并通过光电传输模块进行信号分发,每个光电传输模块负责的单元阵列的控制数据以串行方式传输,到达束闸(7)时经过串行到并行转换,同时驱动相对应数量的束闸导通和关断;经过电子束偏转器(6)之后,各个子电子束都处于正确的状态下,束闸(7)不加偏压,则电子束正常通过,实施曝光,如果束闸(7)加上偏压,则电子束被偏转而不能通过中心孔,不能进行曝光。
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