恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司尹佳山获国家专利权
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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种金属布线层的制作方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010986591.X，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种金属布线层的制作方法及封装结构是由尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属布线层的制作方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属布线层的制作方法和封装结构，封装结构包括晶圆，分离层，形成于所述晶圆的表面；重新布线层介质层，形成于所述分离层的表面；图形化的种子层，形成于所述重新布线层介质层的表面；铜金属层，形成于所述种子层表面；所述图形化的种子层以及形成于种子层表面的所述铜层构成金属线布线层。本发明的去离子水浸泡步骤可使得晶圆显著降温，减少冲洗和吹干过程CuO的生成，获得的Cu层具有良好外观和电学性能。
本发明授权一种金属布线层的制作方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种金属布线层的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供晶圆；形成分离层；形成重布线层介质层；在介质层上沉积种子层；在种子层上沉积光阻，并图形化所述光阻以形成窗口，所述窗口显露所述种子层；基于所述种子层在所述窗口中电镀铜，以形成铜金属层；去除所述光阻以显露所述种子层，其中，去除所述光阻包括：采用去胶液去除光阻膜层、采用去离子水浸泡所述铜金属层、采用去离子水冲洗残留的光阻，最后采用氮气吹干；去除显露的所述种子层，以形成金属布线层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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