恭喜华邦电子股份有限公司李俊霖获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110269417.8，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权存储器装置及其制造方法是由李俊霖设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器装置及其制造方法。所述存储器装置包括基板及电子熔丝结构。基板包括阵列区及电子熔丝区，且基板的电子熔丝区中具有电子熔丝沟槽。电子熔丝结构包括第一栅极氧化物层、多个掺杂区、虚设埋入式字线及电子熔丝栅极。第一栅极氧化物层形成于电子熔丝沟槽的表面上。这些掺杂区分别形成于电子熔丝沟槽之外的相对两侧的基板中，并与第一栅极氧化物层接触。虚设埋入式字线形成于第一栅极氧化物层上。电子熔丝栅极形成于虚设埋入式字线上且与第一栅极氧化物层接触。虚设埋入式字线与电子熔丝栅极电性隔绝。
本发明授权存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，包括：一基板，其中所述基板包括一阵列区及一电子熔丝区，且所述基板的所述电子熔丝区中具有一电子熔丝沟槽；以及一电子熔丝结构，包括：一第一栅极氧化物层，顺应性地形成于所述电子熔丝沟槽的表面上；多个掺杂区，分别形成于所述电子熔丝沟槽之外的相对两侧的所述基板中，其中所述多个掺杂区与所述第一栅极氧化物层接触；一虚设埋入式字线，形成于所述第一栅极氧化物层上；及一电子熔丝栅极，形成于所述虚设埋入式字线上且与所述第一栅极氧化物层接触，其中所述虚设埋入式字线与所述电子熔丝栅极电性隔绝。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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