恭喜爱思开海力士有限公司李在吉获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利包括铁电层的半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110823533.X，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权包括铁电层的半导体器件及其制造方法是由李在吉;徐东益;李世昊设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括铁电层的半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种包括铁电层的半导体器件及其制造方法。根据实施例的半导体器件包括：衬底；位线结构和源极线结构，分别在垂直于衬底表面的方向上延伸；半导体层，其设置在平行于衬底表面的平面上在位线结构与源极线结构之间；第一铁电层，其设置在半导体层的第一表面上；以及第一栅电极层，其设置在第一铁电层上。
本发明授权包括铁电层的半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；位线结构和源极线结构，各自在垂直于所述衬底的表面的方向上延伸；半导体层，其设置在与所述衬底的所述表面平行的平面上、在所述位线结构与所述源极线结构之间；第一铁电层，其设置在所述半导体层的上表面上；和第一栅电极层，其设置在所述第一铁电层上，其中，所述半导体层包括：与所述位线结构接触的源极区域；与所述源极线结构接触的漏极区域；和设置在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，其中，源极区域和漏极区域均掺杂相同类型的掺杂剂，以及沟道区域掺杂与所述源极区域和漏极区域不同类型的掺杂剂。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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