恭喜长江存储科技有限责任公司陶莉获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111294248.X，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权芯片封装结构及其制备方法是由陶莉;张保华;赵姗姗设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片封装结构及其制备方法。制备芯片封装结构的方法包括：在基板的第一侧设置第一半导体芯片和第二半导体芯片，并在所述第一侧填充覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的塑封材料；以及在所述塑封材料的远离所述基板的一侧形成凹槽。
本发明授权芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备芯片封装结构的方法，其特征在于，所述方法包括：在基板的第一侧设置第一半导体芯片和第二半导体芯片，并在所述第一侧填充覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的塑封材料；以及在所述塑封材料的远离所述基板的一侧形成凹槽；所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在所述基板的投影均位于同一所述凹槽在所述基板的投影内；所述凹槽位于所述第一半导体芯片上方的部分的深度大于位于所述第二半导体芯片上方的部分的深度；在所述凹槽的位于所述第一半导体芯片上方的部分形成固化的第二金属填料，所述第二金属填料朝向所述基板的一侧的表面形状为肋片形；形成固化的第二金属填料之后，在所述凹槽的剩余部分形状固化的第一金属填料；在所述第一金属填料的远离所述基板的一侧设置散热架。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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