恭喜上海华力集成电路制造有限公司温海东获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111399653.8，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法是由温海东;高海霞设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；沉积TiN；沉积包裹层，包裹TiN；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积包裹层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明能有效保留超快闪存储器sidewall浮栅TiN薄膜，提高器件性能和均一性。
本发明授权超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅沟槽侧壁TiN薄膜制作方法，其用于超快闪存储器，其特征在于，包括以下步骤：S1，按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；S2，沉积TiN；S3，沉积包裹层，包裹TiN；S4，光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；S5，刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；S6，去除保护区的保护层；S7，刻蚀去除非保护区的TiN；S8，沉积包裹层，包裹保护区的TiN；S9，刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；S10，刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN其中，述保护区是有源区，所述非保护区是隔离区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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