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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111408999.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法是由程器;彭翔设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，包括：步骤一，提供一半导体器件，所述半导体器件包括正面及背面，所述背面上形成有硅外延层；步骤二，在所述硅外延层上沉积三层结构的复合硬掩膜层；步骤三，进行CDTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述复合硬掩膜层的中间层，得到形成有第一沟槽的第一硬掩膜层；步骤四，进行DTI硬掩膜刻蚀，刻蚀停止至硅外延层，得到同时形成有第一沟槽和第二沟槽的第二硬掩膜层；步骤五，以第二硬掩膜层为掩膜版，刻蚀所述硅外延层，在硅外延层内同时形成CDTI和DTI结构。

本发明授权背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，包括：步骤一，提供一半导体器件，所述半导体器件包括正面及背面，所述背面上形成有硅外延层；步骤二，在所述硅外延层上沉积三层结构的复合硬掩膜层；步骤三，进行CDTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述复合硬掩膜层的中间层，得到形成有第一沟槽的第一硬掩膜层；步骤四，进行DTI硬掩膜刻蚀，刻蚀停止至硅外延层，得到同时形成有第一沟槽和第二沟槽的第二硬掩膜层；步骤五，以第二硬掩膜层为掩膜版，刻蚀所述硅外延层，在硅外延层内同时形成CDTI和DTI结构；步骤四中DTI硬掩膜刻蚀的方法为：在所述第一硬掩膜层的最上层覆盖一层第五掩膜层，并标记DTI的位置；刻蚀第五掩膜层，在标记位置处得到第二开口，得到形成有第二开口的第五掩膜层；以形成有第二开口的第五掩膜层为掩膜版，进行DTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述硅外延层；去除剩余部分的第五掩膜层，得到同时形成有第一沟槽和第二沟槽的第二硬掩膜层。

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