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龙图腾网恭喜普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利集成电路上电复位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114172500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111457691.4，技术领域涉及：H03K17/22；该发明授权集成电路上电复位电路是由谢飞;陈涛设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路上电复位电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电路上电复位电路，第一电阻、第二电阻串接在工作电源同第一NMOS管的漏端之间；第一NMOS管的栅端及第三NMOS管的栅端均接第一电阻同第二电阻的串接点；第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管的源端均接地；第一PMOS管漏端、栅端及第二PMOS管的栅端同接第三NMOS管的漏端；第一PMOS管源端及第二PMOS管源端均接工作电源；第二NMOS管的漏端接第二PMOS管的漏端，并作为上电复位电压输出端。本发明的集成电路上电复位电路，减小了上电复位电压随温度变化的偏差，温度补偿效果好，上电复位电压偏差小，功耗低。

本发明授权集成电路上电复位电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路上电复位电路，其特征在于，其包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第一PMOS管P1及第二PMOS管P2；第一电阻R1、第二电阻R2串接在工作电源VDD同第一NMOS管M1的漏端之间；第一NMOS管M1的栅端及第三NMOS管M3的栅端均接第一电阻R1同第二电阻R2的串接点；第一NMOS管M1、第二NMOS管M2及第三NMOS管M3的源端均接地；第一PMOS管P1漏端、栅端及第二PMOS管P2的栅端同接第三NMOS管M3的漏端；第一PMOS管P1源端及第二PMOS管P2源端均接工作电源VDD；第二NMOS管M2的漏端接第二PMOS管P2的漏端，并作为上电复位电压输出端por1；第二NMOS管M2的栅端接第一NMOS管M1的漏端。

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