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龙图腾网恭喜深圳宏芯宇电子股份有限公司申请的专利数据读写方法、存储器存储装置及存储器控制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114398010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210044915.7，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权数据读写方法、存储器存储装置及存储器控制器是由赖振楠;董伟涛设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本数据读写方法、存储器存储装置及存储器控制器在说明书摘要公布了：本发明提供一种数据读写方法、存储器存储装置及存储器控制器，该方法用于存储器存储装置，存储器存储装置包括存储器模块，存储器模块包括多个实体块和多个虚拟块，实体块包括多个实体页，虚拟块由多个实体块中的若干实体坏块的实体好页构建而成，该方法包括：对虚拟块进行数据读取时，根据预设的虚拟块映射表，找出当前存储有数据的实体好页对应的实体坏块的物理地址，以读取存储有数据的实体好页中的数据；对虚拟块进行数据写入时，根据预设的虚拟块映射表，找出当前空白的实体好页对应的实体坏块的物理地址，以将数据写入到空白的实体好页中。藉此，可在不改变存储器存储装置的有效存储容量的情况下，大幅度延长存储器存储装置的使用寿命。

本发明授权数据读写方法、存储器存储装置及存储器控制器在权利要求书中公布了：1.一种数据读写方法，其特征在于，用于存储器存储装置，其中所述存储器存储装置包括存储器模块，所述存储器模块包括多个实体块和多个虚拟块，所述实体块包括多个实体页，所述虚拟块由所述多个实体块中的若干实体坏块中的实体好页构建而成，构建过程包括获取第一坏块记录表，所述第一坏块记录表中记录有所述多个实体块中所有实体坏块的实体页好坏信息，根据所述实体页好坏信息对所述第一坏块记录表中所有实体坏块进行基于好页数量排序，得到第二坏块记录表，从所述第二坏块记录表中按照从两端到中间的顺序分别获取至少两个所述实体坏块组成一所述坏块组，且所述坏块组中所有实体好页的数量之和大于或等于第一预设页数阈值，基于所述坏块组中好页数量较多的坏块中的所有实体好页，和好页数量较少的坏块中的部分实体好页建立所述虚拟块，并建立所述虚拟块映射表，其中，所述所有实体好页的数量与所述部分实体好页的数量之和等于所述第一预设页数阈值，所述第一预设页数阈值为一个所述实体块中的所有实体页的数量，所述数据读写方法包括：对所述虚拟块进行数据读取时，根据预设的虚拟块映射表，通过块映射的方式找出当前存储有数据的实体好页对应的实体坏块的物理地址，以读取所述存储有数据的实体好页中的数据；对所述虚拟块进行数据写入时，根据预设的虚拟块映射表，通过块映射的方式找出当前空白的实体好页对应的实体坏块的物理地址，以将数据写入到所述空白的实体好页中。

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