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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善晶圆接触孔线宽均一性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210154839.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权改善晶圆接触孔线宽均一性的方法是由阚琎;昂开渠设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善晶圆接触孔线宽均一性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善晶圆接触孔线宽均一性的方法，提供多个衬底，每个衬底上均形成有由下而上的抗反射涂层和光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得抗反射涂层裸露；将多个衬底中的其中一个设置于刻蚀机内的刻蚀腔，在刻蚀腔内通入刻蚀气体，利用刻蚀气体对衬底的裸露部分进行刻蚀；持续获取刻蚀腔内刻蚀气体的剩余量，得到其剩余量数据；提供刻蚀气体的剩余量的阈值范围，在刻蚀腔内通入清洁气体，并根据剩余量数据调节清洁气体的流量，使得刻蚀气体的剩余量处于阈值范围内；利用不同流量清洁气体进行腔体清洁后对多个衬底中剩余的每一个分别进行刻蚀。本发明采用不同流量O2进行腔体清洁，从而改善晶圆和晶圆间接触孔刻蚀线宽的均一性。

本发明授权改善晶圆接触孔线宽均一性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善晶圆接触孔线宽均一性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供多个衬底，每个所述衬底上均形成有由下而上堆叠的抗反射涂层和光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得所述抗反射涂层裸露；步骤二、将多个所述衬底中的其中一个置于刻蚀机内的刻蚀腔，在所述刻蚀腔内通入刻蚀气体，利用所述刻蚀气体对所述衬底的裸露部分进行刻蚀，用以在其中一个所述衬底上形成接触孔；步骤三、持续获取所述刻蚀腔内所述刻蚀气体的剩余量，得到其剩余量数据；步骤四、提供所述刻蚀气体的剩余量的阈值范围，在所述刻蚀腔内通入清洁气体，并根据所述刻蚀气体的剩余量数据调节所述清洁气体的流量，使得通入所述清洁气体后所述刻蚀气体的剩余量处于所述阈值范围内；步骤五、重复执行步骤二至步骤四，直到刻蚀完全部所述衬底为止。

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