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龙图腾网恭喜PEP创新私人有限公司申请的专利芯片封装方法及芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910741612.9，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片封装方法及芯片结构是由周辉星设计研发完成，并于2019-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装方法及芯片结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种芯片封装方法及芯片结构，芯片封装方法包括：提供晶片，在晶片活性面形成保护层；切割分离所述晶片形成裸片；提供金属结构，所述金属结构包括至少一个金属单元；将所述裸片和金属结构贴装在载板上；形成塑封层。芯片结构包括：至少一个裸片；保护层；金属单元，所述金属单元包括至少一个金属特征；塑封层，用于包封所述裸片和金属单元；其中所述芯片结构通过至少一个金属特征与外部电路进行连接。本公开通过利用金属单元的多个金属特征取得了不同金属特征带来的封装性能的提高，并且本公开中在晶片活性面形成有保护层，省去了塑封层形成步骤后的绝缘层施加步骤。

本发明授权芯片封装方法及芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，包括：至少一个裸片，包括一晶片活性面，所述晶片活性面包括一电连接点和一绝缘层，所述绝缘层具有远离所述晶片活性面之一顶面；晶片导电层，形成于所述晶片活性面上且电性连接所述电连接点；保护层，形成于所述晶片导电层上，所述保护层为单层结构且具有远离所述晶片活性面之一保护层上表面以及朝向所述晶片活性面的一保护层下表面，所述保护层下表面接触所述晶片活性面；面板级导电层，形成于所述保护层上表面上，所述面板级导电层接触所述保护层上表面且电性连接所述晶片导电层；金属单元，所述金属单元包括至少一个金属特征；塑封层，用于包封所述裸片和金属单元，所述塑封层具有与所述晶片活性面位于同一侧之一塑封层正面，且所述塑封层正面高于所述绝缘层之顶面；介电层，形成于所述面板级导电层上；其中所述芯片结构通过至少一个金属特征与外部电路进行连接。

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