买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利第零层层间膜的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695098B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210187307.1，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权第零层层间膜的制造方法是由张健设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本第零层层间膜的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种第零层层间膜的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成多个由第一栅介质层和多晶硅栅叠加而成的第一栅极结构。在多晶硅栅的顶部还叠加有所述硬质掩膜层。各第一栅极结构之间的区域为间隔区。步骤二、生长第零层层间膜，第零层层间膜具有不平坦的顶部表面且在间隔区顶部具有第一凹陷。步骤三、对硬质掩膜层顶部的第零层层间膜进行回刻并形成第二凹陷，第二凹陷的底部表面低于第一凹陷的底部表面。步骤四、以硬质掩膜层为停止层，采用第一次化学机械研磨工艺对第零层层间膜进行平坦化。本发明能消除第零层层间膜表面的蝶形缺陷，还能同时减少硬质掩膜层表面的第零层层间膜材料残留并能同时减少研磨时间，提高工艺窗口。

本发明授权第零层层间膜的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种第零层层间膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成多个由第一栅介质层和多晶硅栅叠加而成的第一栅极结构；所述第一栅极结构的形成区域通过硬质掩膜层定义，在所述第一栅极结构的所述多晶硅栅的顶部还叠加有所述硬质掩膜层；各所述第一栅极结构之间的区域为间隔区；步骤二、生长第零层层间膜，所述第零层层间膜将所述间隔区完全填充并延伸到所述硬质掩膜层顶部表面之上；所述第零层层间膜具有不平坦的顶部表面且在所述间隔区顶部具有第一凹陷；步骤三、对所述硬质掩膜层顶部的所述第零层层间膜进行回刻并形成第二凹陷，所述第二凹陷的底部表面低于所述第一凹陷的底部表面；步骤四、以所述硬质掩膜层为停止层，采用第一次化学机械研磨工艺对所述第零层层间膜进行平坦化，使所述第零层层间膜的顶部表面和所述硬质掩膜层的顶部表面相平以及使所述硬质掩膜层顶部表面之上的所述第零层层间膜全部被去除。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。