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龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利一种有源集成氮化硅光子晶体谐振腔传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114705655B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210203073.5，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权一种有源集成氮化硅光子晶体谐振腔传感器及制备方法是由刘启发;孟旻佳设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有源集成氮化硅光子晶体谐振腔传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有源集成氮化硅光子晶体谐振腔传感器及制备方法，本发明提出有源集成的光子晶体传感器结构，包括由一维或二维周期性光子晶体结构组成的无缺陷、缺陷或异质结构光子谐振腔。通过在蓝宝石衬底上生长出包含InGaN和GaN交替组成的多层量子阱的GaN基蓝光材料体系、二氧化硅包覆层和氮化硅层，在氮化硅层刻蚀空气孔，形成光子晶体谐振腔，从而实现折射率传感器结构。相比传统传感器，该光子晶体谐振腔传感器实现单片有源集成，实现光源和传感元件的一体化集成，尺寸更小，集成度更高；同时该光子晶体谐振腔传感器采用氮化硅作为光子晶体谐振腔材料，其具有低损耗高Q值的特性，利于实现高灵敏度、低阈值的传感检测。

本发明授权一种有源集成氮化硅光子晶体谐振腔传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种有源集成氮化硅光子晶体谐振腔传感器，其特征在于，包括：硅衬底层；n-GaN层，位于硅衬底层之上；MQWs层，位于n-GaN层之上；p-AlGaN电子阻挡层，位于MQWs层之上；p-GaN层，位于p-AlGaN电子阻挡层之上；SiO2层，位于p-GaN层之上；光子晶体层，位于SiO2层之上；所述的p-GaN层表面设置p电极，所述的n-GaN层表面设置n电极，所述的MQWs层包括：InGaN和GaN交替组成的多层量子阱层，所述的多层量子阱层数为1~13层，每一层包括：3nm厚的InGaN和10nm厚的GaN，InGaN层中的In的含量为：5%-20%，所述的光子晶体层包括：一维光子晶体结构和二维光子晶体结构，其空气孔呈圆形，半径为10~100nm，晶格常数为50~200nm。

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