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龙图腾网恭喜安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114825048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210366900.2，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种半导体激光元件是由阚钦设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别涉及一种半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、n层包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、p型包覆层和p型半导体，其中有源层为InbGa1‑bNIncAldGa1‑c‑dN，n型包覆层至少具有3层Al梯度层AleGa1‑eNAlfIngGa1‑f‑gNAlhGa1‑hN，n型包覆层之间具有Al组分梯度且与有源层间亦形成Al组分梯度：Al组分e＞h＞f≥d，AlfIngGa1‑f‑gN与有源层、上波导层、下波层形成的In组分梯度构成In组分梯度，通过双重梯度组合调控极化效应，减少有源层In组分的涨落和应变，减少激光元件的增益谱宽，提升激子振子强度和峰值增益，改善有源层的热稳定性，实现室温下激子‑光子的强耦合作用，最终形成稳定的激子极化激元激射。

本发明授权一种半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光元件，其特征在于，从下至上依次包括衬底、n型包覆层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、p型包覆层和p型半导体，所述n型包覆层具有激子极化激元激射结构和增益波导结构，其中有源层为InbGa1-bNIncAldGa1-c-dN组成的周期结构，其中阱层为InbGa1-bN，垒层为IncAldGa1-c-dN；n型包覆层至少具有3层Al梯度层AleGa1-eNAlfIngGa1-f-gNAlhGa1-hN，所述n型包覆层之间具有Al组分梯度且与有源层的垒层IncAldGa1-c-dN间亦形成Al组分梯度：Al组分e＞h＞f≥d；其中AlfIngGa1-f-gN层In组分为g，所述上波导层为InyGa1-yN，下波导层为InzGa1-zN，所述n型包覆层中的AlfIngGa1-f-gN与有源层的阱层InbGa1-bN、上波导层、下波层形成In组分梯度：b≥g≥z≥y,两者构成Al组分和In组分双重梯度组合。

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